Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 18 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQS660CENW-T1_GE3

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228-2968
Référence fabricant:
SQS660CENW-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17.4nC

Forward Voltage Vf

0.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay TrenchFET automotive N-channel is 60 V power MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

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