Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 18 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQSA12CENW-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 228-2970
- Référence fabricant:
- SQSA12CENW-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
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| 100 - 240 | 0,757 € | 7,57 € |
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- N° de stock RS:
- 228-2970
- Référence fabricant:
- SQSA12CENW-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | PowerPAK 1212 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 22mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 31nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 62.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type PowerPAK 1212 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31nC | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 62.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay TrenchFET automotive N-channel is 100 V power MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
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