Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 18 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQSA12CENW-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 228-2970
- Référence fabricant:
- SQSA12CENW-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 10 unités)*
9,71 €
(TVA exclue)
11,75 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 2 980 unité(s) expédiée(s) à partir du 20 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,971 € | 9,71 € |
| 100 - 240 | 0,872 € | 8,72 € |
| 250 - 490 | 0,718 € | 7,18 € |
| 500 - 990 | 0,629 € | 6,29 € |
| 1000 + | 0,487 € | 4,87 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 228-2970
- Référence fabricant:
- SQSA12CENW-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | PowerPAK 1212 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 22mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 62.5W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type PowerPAK 1212 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 62.5W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay TrenchFET automotive N-channel is 100 V power MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
Liens connexes
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQS486CENW-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQS414CENW-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQSA70CENW-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS136ELNW-T1_GE3