Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 18 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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N° de stock RS:
180-7359
Référence fabricant:
SIS413DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0094Ω

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

35.4nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.61 mm

Height

1.12mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.61mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

Vishay MOSFET


The Vishay MOSFET is a P-channel, PowerPAK-1212-8 package is a new age product with a drain-source voltage of 30V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 9.4mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 52W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen and lead (Pb) free component

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications


• Adaptor switches

• Load switches

• Mobile computing

• Power management

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