Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 23.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 Si7454FDP-T1-RE3

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N° de stock RS:
228-2829
Référence fabricant:
Si7454FDP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

23.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

29.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

1.12mm

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-Channel power MOSFET is use for DC/DC primary side switch, Telecom / server, Motor drive control and Synchronous rectification.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

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