Vishay N-Channel 80 V Type N-Channel MOSFET, 137.5 A, 80 V, 8-Pin SO-8

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

2 187,00 €

(TVA exclue)

2 646,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,729 €2 187,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
225-9931
Référence fabricant:
SIR5802DP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

137.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SO-8

Series

N-Channel 80 V

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

60nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.25mm

Standards/Approvals

No

Width

1.12 mm

Height

5.26mm

Automotive Standard

No

The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Liens connexes