Infineon SN7002I Type N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- N° de stock RS:
- 225-0583
- Référence fabricant:
- SN7002IXTSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,048 € | 144,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,045 € | 135,00 € |
| 15000 + | 0,043 € | 129,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 225-0583
- Référence fabricant:
- SN7002IXTSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 200mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | SN7002I | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 360mW | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.4mm | |
| Height | 3.4mm | |
| Width | 1.1 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 200mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series SN7002I | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 360mW | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.4mm | ||
Height 3.4mm | ||
Width 1.1 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon SN7002I is the small signal, small power N- and P-channel MOSFETs provide a wide range of VGS(th) levels and RDS(on) values, as well as multiple voltage classes. This MOSFET have enhancement and depletion-mode options.
PCB-space and cost savings
Gate drive flexibility
Reduced design complexity
Environmentally friendly
High overall efficiency
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