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Infineon BSS169I N-Channel MOSFET, 190 mA, 100 V Depletion, 3-Pin SOT-23 BSS169IXTSA1

N° de stock RS:: 225-0564
Référence fabricant:: BSS169IXTSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon BSS169I N-Channel MOSFET, 190 mA, 100 V Depletion, 3-Pin SOT-23 BSS169IXTSA1

Offre groupée disponible

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

270,00 €

(TVA exclue)

330,00 €

(TVA incluse)

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 - 3000	0,09 €	270,00 €
6000 - 12000	0,086 €	258,00 €
15000 +	0,081 €	243,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 225-0564
Référence fabricant:: BSS169IXTSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current	190 mA
	Maximum Drain Source Voltage	100 V
	Series	BSS169I
	Package Type	SOT-23
	Mounting Type	Surface Mount
	Pin Count	3
	Channel Mode	Depletion
	Maximum Gate Threshold Voltage	1.8V
	Number of Elements per Chip	1

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current 190 mA
	Maximum Drain Source Voltage 100 V
	Series BSS169I
	Package Type SOT-23
	Mounting Type Surface Mount
	Pin Count 3
	Channel Mode Depletion
	Maximum Gate Threshold Voltage 1.8V
	Number of Elements per Chip 1

Datasheet-BSS169IXTSA1

The Infineon BSS169I is the small signal, small power N- and P-channel MOSFETs provide a wide range of VGS(th) levels and RDS(on) values, as well as multiple voltage classes. This MOSFET have enhancement and depletion-mode options.

PCB-space and cost savings
Gate drive flexibility
Reduced design complexity
Environmentally friendly
High overall efficiency

Infineon BSS169I N-Channel MOSFET, 190 mA, 100 V Depletion, 3-Pin SOT-23 BSS169IXTSA1

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