Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 100 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB100N06S2L05ATMA2
- N° de stock RS:
- 223-8513
- Référence fabricant:
- IPB100N06S2L05ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
18,70 €
(TVA exclue)
22,65 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
- 2 925 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,74 € | 18,70 € |
| 50 - 120 | 3,40 € | 17,00 € |
| 125 - 245 | 3,214 € | 16,07 € |
| 250 - 495 | 2,99 € | 14,95 € |
| 500 + | 2,768 € | 13,84 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 223-8513
- Référence fabricant:
- IPB100N06S2L05ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Liens connexes
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80N06S2L09ATMA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80N06S2H5ATMA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPD26N06S2L35ATMA2
- Infineon OptiMOS-T Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
