Infineon IPP60R Type N-Channel MOSFET, 26 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R120P7XKSA1

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Référence fabricant:
IPP60R120P7XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

26A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-220

Series

IPP60R

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

120mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Maximum Power Dissipation Pd

95W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.36mm

Height

9.45mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon 600V CoolMOS™ P7 is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

ESD ruggedness of ≥ 2kV (HBM class 2)

Integrated gate resistor R G

Rugged body diode

Wide portfolio in through hole and surface mount packages

Both standard grade and industrial grade parts are available

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