Infineon IPL60R Type N-Channel MOSFET, 12 A, 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL65R195C7AUMA1

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222-4920
Référence fabricant:
IPL65R195C7AUMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

IPL60R

Package Type

ThinPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

195mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

75W

Forward Voltage Vf

0.8V

Width

8.1 mm

Length

8.1mm

Standards/Approvals

No

Height

1.1mm

Automotive Standard

No

The Infineon CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds' lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range

Improved safety margin and suitable for both SMPS and solar inverter applications

Lowest conduction losses/package

Low switching losses

Better light load efficiency

Increasing power density

Outstanding CoolMOS™ quality

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