Infineon IPL60R Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK

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N° de stock RS:
222-4915
Référence fabricant:
IPL60R185P7AUMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

19A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

ThinPAK

Series

IPL60R

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

185mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

8.1mm

Height

1.1mm

Width

8.1 mm

Automotive Standard

No

The Infineon 600V CoolMOS™ P7 is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

ESD ruggedness of ≥ 2kV (HBM class 2)

Integrated gate resistor R G

Rugged body diode

Wide portfolio in through hole and surface mount packages

Both standard grade and industrial grade parts are available

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