Infineon IPL60R Type N-Channel MOSFET, 28 A, 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL65R070C7AUMA1
- N° de stock RS:
- 222-4918
- Référence fabricant:
- IPL65R070C7AUMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
14,88 €
(TVA exclue)
18,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 94 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 7,44 € | 14,88 € |
| 10 - 18 | 6,695 € | 13,39 € |
| 20 - 48 | 6,25 € | 12,50 € |
| 50 - 98 | 5,88 € | 11,76 € |
| 100 + | 5,43 € | 10,86 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 222-4918
- Référence fabricant:
- IPL65R070C7AUMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 28A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | IPL60R | |
| Package Type | ThinPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 70mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 64nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 169W | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 8.1mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Width | 8.1 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 28A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series IPL60R | ||
Package Type ThinPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 70mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 64nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 169W | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 8.1mm | ||
Height 1.1mm | ||
Width 8.1 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds' lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
Revolutionary best-in-class R DS(on)/package
Reduced energy stored in output capacitance (Eoss)
Lower gate charge Qg
Space saving through use of smaller packages or reduction of parts
12 years manufacturing experience in superjunction technology
Liens connexes
- Infineon IPL60R Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK
- Infineon IPL60R Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK
- Infineon IPL60R Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL65R195C7AUMA1
- Infineon IPL60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK
- Infineon IPL60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK
- Infineon IPL60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK
- Infineon IPL60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R075CFD7AUMA1
- Infineon IPL60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R185P7AUMA1