Infineon IPL60R Type N-Channel MOSFET, 17 A, 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R125C7AUMA1

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

8,47 €

(TVA exclue)

10,248 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 480 unité(s) expédiée(s) à partir du 30 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 184,235 €8,47 €
20 - 483,85 €7,70 €
50 - 983,605 €7,21 €
100 - 1983,335 €6,67 €
200 +3,085 €6,17 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
222-4914
Référence fabricant:
IPL60R125C7AUMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

17A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

ThinPAK

Series

IPL60R

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

120mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.9V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

103W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

1.1mm

Width

8.1 mm

Length

8.1mm

Automotive Standard

No

The Infineon 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET series offers a ∼50% reduction in turn-off losses (E oss ) compared to the CoolMOS™ CP, offering an outstanding level of performance in PFC, TTF and other hard-switching topologies. The IPL60R185C7 is also a perfect match for high-power-density charger designs.

Reduced switching loss parameters such as Q G, C oss, E oss

Best-in-class figure of merit Q G*R DS(on)

Increased switching frequency

Best R (on)*A in the world

Rugged body diode

Liens connexes