Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET, 5 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252

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N° de stock RS:
222-4899
Référence fabricant:
IPD50R800CEAUMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Package Type

TO-252

Series

IPD50R

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

800mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12.4nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

40W

Forward Voltage Vf

0.83V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Height

2.41mm

Width

6.22 mm

Automotive Standard

No

The Infineon 500V CoolMOS™ CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in consumer and lighting markets by still meeting highest efficiency standards. The new series provides all benefits of a fast switching superjunction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market.

Reduced energy stored in output capacitance (E oss)

High body diode ruggedness

Reduced reverse recovery charge (Q rr )

Reduced gate charge (Q g )

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