Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3205ZSTRLPBF

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222-4735
Référence fabricant:
IRF3205ZSTRLPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

HEXFET

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

170W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

76nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Width

9.65 mm

Length

10.67mm

Height

4.83mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Advanced process technology

Ultra-low on-resistance Fast switching

Lead-Free, RoHS Compliant

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