Références fabricant

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF1010ESTRLPBF

N° de stock RS:: 222-4733
Numéro d'article Distrelec:: 304-39-411
Référence fabricant:: IRF1010ESTRLPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF1010ESTRLPBF

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

13,31 €

(TVA exclue)

16,11 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Dernier stock RS

40 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution

Unité	Prix par unité	le paquet*
10 - 40	1,331 €	13,31 €
50 - 90	1,265 €	12,65 €
100 - 240	1,211 €	12,11 €
250 - 490	1,158 €	11,58 €
500 +	1,078 €	10,78 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 222-4733
Numéro d'article Distrelec:: 304-39-411
Référence fabricant:: IRF1010ESTRLPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	84A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-263
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	12mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	86.6nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd	170W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	4.83mm
	Width	9.65 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	10.67mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 84A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-263
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 12mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 86.6nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd 170W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 4.83mm
	Width 9.65 mm
	Standards/Approvals No
	Length 10.67mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF1010ESTRLPBF

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Advanced process technology

Ultra-low on-resistance Fast switching

Lead-Free, RoHS Compliant

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF1010ESTRLPBF

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Liens connexes