Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET, 1.5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPU80R4K5P7AKMA1

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222-4717
Référence fabricant:
IPU80R4K5P7AKMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

1.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

CoolMOS

Package Type

TO-251

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

13W

Forward Voltage Vf

0.9V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

6.22mm

Height

2.41mm

Length

6.73mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS™ P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation.

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Superior thermal resistance 100% avalanche tested

Halogen-free according to IEC61249-2-23

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