Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 1.5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPU80R4K5P7AKMA1

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 20 unités)*

5,24 €

(TVA exclue)

6,34 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Commandes ci-dessous 75,00 € coût (TVA exclue) 5,95 €.
En stock
  • Plus 60 unité(s) expédiée(s) à partir du 19 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
20 - 800,262 €5,24 €
100 - 1800,216 €4,32 €
200 - 4800,211 €4,22 €
500 - 9800,205 €4,10 €
1000 +0,20 €4,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
222-4717
Référence fabricant:
IPU80R4K5P7AKMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-251

Series

CoolMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.9V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

13W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Width

6.22 mm

Height

2.41mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS™ P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation.

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Superior thermal resistance 100% avalanche tested

Halogen-free according to IEC61249-2-23

Liens connexes

Recently viewed