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Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 2.5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R2K4P7ATMA1

N° de stock RS:: 222-4689
Référence fabricant:: IPN80R2K4P7ATMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 2.5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R2K4P7ATMA1

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20 - 80	0,677 €	13,54 €
100 - 180	0,528 €	10,56 €
200 - 480	0,495 €	9,90 €
500 - 980	0,461 €	9,22 €
1000 +	0,427 €	8,54 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 222-4689
Référence fabricant:: IPN80R2K4P7ATMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	SOT-223
	Series	CoolMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	7.5nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	6.3W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	3.7 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.7mm
	Height	1.8mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type SOT-223
	Series CoolMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.5nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 6.3W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 3.7 mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.7mm
	Height 1.8mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPN80R2K4P7ATMA1

The Infineon design of Cool MOS™ P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation.

Product validation acc. JEDEC Standard

Low switching losses (Eoss) Integrated ESD protection diode

Excellent thermal behaviour

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 2.5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R2K4P7ATMA1

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