DiodesZetex DMT N-Channel MOSFET, 75 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- N° de stock RS:
- 222-2882
- Référence fabricant:
- DMT69M5LH3
- Fabricant:
- DiodesZetex
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 bobine de 75 unités)*
29,775 €
(TVA exclue)
36,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 29 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | 0,397 € | 29,78 € |
| 150 - 450 | 0,342 € | 25,65 € |
| 525 - 975 | 0,333 € | 24,98 € |
| 1050 + | 0,325 € | 24,38 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 222-2882
- Référence fabricant:
- DMT69M5LH3
- Fabricant:
- DiodesZetex
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 75A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-251 | |
| Series | DMT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 96W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28.4nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 6.1mm | |
| Length | 6.6mm | |
| Width | 2.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 75A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-251 | ||
Series DMT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 96W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28.4nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 6.1mm | ||
Length 6.6mm | ||
Width 2.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
The DiodesZetex N-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
Low on-resistance
Low input capacitance
Small form factor thermally efficient package enables higher density end products
Liens connexes
- DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-251 DMT69M5LH3
- DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333 DMT6008LFG-7
- DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin VDFN
- DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin UDFN
- DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin UDFN DMT6030LFCL-7