Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB065N10N3GATMA1

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

12,20 €

(TVA exclue)

14,75 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Informations sur le stock actuellement non accessibles - Veuillez vérifier plus tard
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 52,44 €12,20 €
10 - 952,234 €11,17 €
100 - 2452,064 €10,32 €
250 - 4951,912 €9,56 €
500 +1,864 €9,32 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
220-7383
Référence fabricant:
IPB065N10N3GATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET & Diode

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263

Series

OptiMOS 3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon 100V OptiMOS power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and figure of merit.

Excellent switching performance

World’s lowest R DS(on)

Very low Q g and Q gd

Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

Environmentally friendly

Increased efficiency

Highest power density

Less paralleling required

Smallest board-space consumption

Easy-to-design products

Liens connexes