Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- N° de stock RS:
- 220-7381
- Référence fabricant:
- IPB065N10N3GATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
1 262,00 €
(TVA exclue)
1 527,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 11 juin 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,262 € | 1 262,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 220-7381
- Référence fabricant:
- IPB065N10N3GATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | OptiMOS 3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series OptiMOS 3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 100V OptiMOS power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and figure of merit.
Excellent switching performance
World’s lowest R DS(on)
Very low Q g and Q gd
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Environmentally friendly
Increased efficiency
Highest power density
Less paralleling required
Smallest board-space consumption
Easy-to-design products
Liens connexes
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB065N10N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB031N08N5ATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB019N08N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB054N08N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 5 80V Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263