Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 40 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TSDSON

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

1 270,00 €

(TVA exclue)

1 535,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 28 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
5000 +0,254 €1 270,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
220-7361
Référence fabricant:
BSZ100N06NSATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET & Diode

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TSDSON

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

36W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

5.35mm

Height

1.2mm

Width

6.1 mm

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS 5 60V is optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial applications including motor control, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.

Optimized for synchronous rectification

40% lower R DS(on) than alternative devices

40% improvement of FOM over similar devices

RoHS compliant - halogen free

MSL1 rated

Highest system efficiency

Less paralleling required

Increased power density

System cost reduction

Very low voltage overshoot

Liens connexes