Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 16 A, 300 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC13DN30NSFDATMA1
- N° de stock RS:
- 220-7357
- Référence fabricant:
- BSC13DN30NSFDATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
6,10 €
(TVA exclue)
7,40 €
(TVA incluse)
Ajouter 65 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 29 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 + | 1,22 € | 6,10 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 220-7357
- Référence fabricant:
- BSC13DN30NSFDATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 16A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 300V | |
| Package Type | TDSON | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 130mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 23nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 5.35mm | |
| Width | 6.1 mm | |
| Height | 1.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 16A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 300V | ||
Package Type TDSON | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 130mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 5.35mm | ||
Width 6.1 mm | ||
Height 1.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS Fast Diode (FD) 200V, 250V and 300V is optimized for body diode hard commutation. These devices are the perfect choice for hard switching applications such as telecom, industrial power supplies, Class D audio amplifiers, motor control and DC-AC inverter.
Improved hard commutation ruggedness
Optimized hard switching behaviour
Industrys lowest R ds(on), Q g and Q rr
RoHS compliant - halogen free
Highest system reliability
System cost reduction
Highest efficiency and power density
Easy-to-design products
Liens connexes
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 300 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC028N06NSTATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC061N08NS5ATMA1
