Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 16 A, 300 V Enhancement, 8-Pin TDSON

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

7 540,00 €

(TVA exclue)

9 125,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 15 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
5000 +1,508 €7 540,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
220-7356
Référence fabricant:
BSC13DN30NSFDATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET & Diode

Maximum Continuous Drain Current Id

16A

Maximum Drain Source Voltage Vds

300V

Series

OptiMOS

Package Type

TDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

130mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.2mm

Length

5.35mm

Width

6.1 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS Fast Diode (FD) 200V, 250V and 300V is optimized for body diode hard commutation. These devices are the perfect choice for hard switching applications such as telecom, industrial power supplies, Class D audio amplifiers, motor control and DC-AC inverter.

Improved hard commutation ruggedness

Optimized hard switching behaviour

Industry’s lowest R ds(on), Q g and Q rr

RoHS compliant - halogen free

Highest system reliability

System cost reduction

Highest efficiency and power density

Easy-to-design products

Liens connexes