Infineon OptiMOS-T Type N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 527,50 €

(TVA exclue)

1 847,50 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 10 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,611 €1 527,50 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
218-3042
Référence fabricant:
IPD35N10S3L26ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

35A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

OptiMOS-T

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

26mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Maximum Power Dissipation Pd

71W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.22 mm

Length

6.73mm

Height

2.41mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™-T series N-channel automotive MOSFET integrated with DPAK (TO-252) type package. It has low switching and conduction power losses.

N-channel - Enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Liens connexes