Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N06S4H1ATMA2

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218-3033
Référence fabricant:
IPB120N06S4H1ATMA2
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-263

Series

OptiMOS-T2

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™-T2 series N-channel power MOSFET. It has low switching and conduction power losses for high thermal efficiency.

N-channel - Enhancement mode

175°C operating temperature

100% Avalanche tested

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