Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB45N06S4L08ATMA3

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214-9020
Référence fabricant:
IPB45N06S4L08ATMA3
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

45A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-263

Series

OptiMOS-T2

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon range of OptiMOS -T2 product family extends the existing families of OptiMOS -T and OptiMOS. These OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. The Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications. These are robust packages with superior quality and reliability.

The product is AEC Q101 qualified

100% Avalanche tested

It has 175°C operating temperature

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