Infineon 650V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 15.1 A, 650 V N, 3-Pin TO-220 IPA65R400CEXKSA1
- N° de stock RS:
- 218-3008
- Référence fabricant:
- IPA65R400CEXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 15 unités)*
13,185 €
(TVA exclue)
15,96 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 330 unité(s) expédiée(s) à partir du 09 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,879 € | 13,19 € |
| 75 - 135 | 0,835 € | 12,53 € |
| 150 - 360 | 0,80 € | 12,00 € |
| 375 - 735 | 0,765 € | 11,48 € |
| 750 + | 0,712 € | 10,68 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 218-3008
- Référence fabricant:
- IPA65R400CEXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 15.1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | 650V CoolMOS CE | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 400mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 15.1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series 650V CoolMOS CE | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 400mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS™ CE series N-channel power MOSFET. The CoolMOS™ CE is suitable for hard and soft switching applications and as modern superjunction, it delivers low conduction and switching losses improving efficiency and ultimately reduces power consumption.
Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss
Very high commutation ruggedness
Easy to use/drive
EDEC qualified, Pb-free plating, Halogen free mold compound
Liens connexes
- Infineon 650V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 650 V N, 3-Pin TO-220
- Infineon 650V CoolMOS SiC N-Channel MOSFET 650 V, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ65R040CFD7XTMA1
- Infineon 650V CoolMOS SiC N-Channel MOSFET 650 V, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ65R060CFD7XTMA1
- Infineon 650V CoolMOS SiC N-Channel MOSFET 650 V, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ65R029CFD7XTMA1
- Infineon 650V CoolMOS SiC N-Channel MOSFET 650 V, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ65R125CFD7XTMA1
- Infineon 650V CoolMOS SiC N-Channel MOSFET 650 V, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ65R080CFD7XTMA1
- Infineon 650V CoolMOS SiC N-Channel MOSFET 650 V, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ65R099CFD7XTMA1
- Infineon 650V CoolMOS SiC N-Channel MOSFET 650 V, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ65R017CFD7XTMA1
