Infineon IPP Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 217-2569
- Référence fabricant:
- IPP80N06S2L07AKSA2
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 tube de 50 unités)*
125,70 €
(TVA exclue)
152,10 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 6 600 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,514 € | 125,70 € |
| 100 - 200 | 2,262 € | 113,10 € |
| 250 + | 2,137 € | 106,85 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 217-2569
- Référence fabricant:
- IPP80N06S2L07AKSA2
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | IPP | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 95nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 210W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series IPP | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 95nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 210W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon 55V, N-Ch, 7 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™.
N-channel Logic Level - Enhancement mode
Automotive AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Liens connexes
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80N06S2L07AKSA2
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80N06S207AKSA4
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP77N06S212AKSA2
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80N08S406AKSA1
- Infineon IPP Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220