Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET, 25 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PDFN56

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216-9712
Référence fabricant:
TSM300NB06DCR
Fabricant:
Taiwan Semiconductor
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Marque

Taiwan Semiconductor

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PDFN56

Series

TSM025

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

30mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17nC

Maximum Power Dissipation Pd

40W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.2mm

Height

1.15mm

Width

5.2 mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS

Automotive Standard

No

The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested

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