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Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET, 44 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PDFN56 TSM170N06PQ56

N° de stock RS:: 216-9700
Référence fabricant:: TSM170N06PQ56
Fabricant:: Taiwan Semiconductor

Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET, 44 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PDFN56 TSM170N06PQ56

Sous-total (1 paquet de 25 unités)*

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N° de stock RS:: 216-9700
Référence fabricant:: TSM170N06PQ56
Fabricant:: Taiwan Semiconductor

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Taiwan Semiconductor
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	44A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	PDFN56
	Series	TSM025
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	17mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	29nC
	Maximum Power Dissipation Pd	73.5W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	IEC, RoHS, WEEE
	Height	1.1mm
	Length	6.1mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Taiwan Semiconductor
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 44A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type PDFN56
	Series TSM025
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 17mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 29nC
	Maximum Power Dissipation Pd 73.5W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals IEC, RoHS, WEEE
	Height 1.1mm
	Length 6.1mm
	Automotive Standard No

Datasheet-TSM170N06PQ56

The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested

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