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Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET, 51 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PDFN56 TSM130NB06CR

N° de stock RS:: 216-9687
Référence fabricant:: TSM130NB06CR
Fabricant:: Taiwan Semiconductor

Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET, 51 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PDFN56 TSM130NB06CR

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Unité	Prix par unité	le paquet*
25 - 25	1,504 €	37,60 €
50 - 75	1,476 €	36,90 €
100 - 225	1,353 €	33,83 €
250 - 975	1,328 €	33,20 €
1000 +	1,231 €	30,78 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 216-9687
Référence fabricant:: TSM130NB06CR
Fabricant:: Taiwan Semiconductor

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Taiwan Semiconductor
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	51A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	TSM025
	Package Type	PDFN56
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	13mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	36nC
	Forward Voltage Vf	1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	83W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC
	Length	6.2mm
	Height	1.1mm
	Width	5.2 mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Taiwan Semiconductor
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 51A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series TSM025
	Package Type PDFN56
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 13mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC
	Forward Voltage Vf 1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 83W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC
	Length 6.2mm
	Height 1.1mm
	Width 5.2 mm
	Automotive Standard No

Datasheet-TSM130NB06CR

The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested

Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET, 51 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PDFN56 TSM130NB06CR

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