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Taiwan Semiconductor TSM025 N-Channel MOSFET, 55 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PDFN56 TSM080N03EPQ56

N° de stock RS:: 216-9672
Référence fabricant:: TSM080N03EPQ56
Fabricant:: Taiwan Semiconductor

Taiwan Semiconductor TSM025 N-Channel MOSFET, 55 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PDFN56 TSM080N03EPQ56

Sous-total (1 paquet de 50 unités)*

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50 +	0,44 €	22,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 216-9672
Référence fabricant:: TSM080N03EPQ56
Fabricant:: Taiwan Semiconductor

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Taiwan Semiconductor
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	PDFN56
	Series	TSM025
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	7.1nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	54W
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	155°C
	Length	6mm
	Height	1mm
	Standards/Approvals	IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC
	Width	5mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Taiwan Semiconductor
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type PDFN56
	Series TSM025
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.1nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 54W
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 155°C
	Length 6mm
	Height 1mm
	Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC
	Width 5mm
	Automotive Standard No

Datasheet-TSM080N03EPQ56

not founs

The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested

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