Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET, 161 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PDFN56

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

3 355,00 €

(TVA exclue)

4 060,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 5 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +1,342 €3 355,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
216-9649
Référence fabricant:
TSM025NB04LCR
Fabricant:
Taiwan Semiconductor
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Taiwan Semiconductor

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

161A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PDFN56

Series

TSM025

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

112nC

Maximum Power Dissipation Pd

135W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC

Height

1.1mm

Width

3.81 mm

Length

6mm

Automotive Standard

No

The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested

Liens connexes