Références fabricant

Taiwan Semiconductor TSM025 N-Channel MOSFET, 41 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PDFN56

N° de stock RS:: 216-9695
Référence fabricant:: TSM150NB04LCR
Fabricant:: Taiwan Semiconductor

Taiwan Semiconductor TSM025 N-Channel MOSFET, 41 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PDFN56

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N° de stock RS:: 216-9695
Référence fabricant:: TSM150NB04LCR
Fabricant:: Taiwan Semiconductor

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Taiwan Semiconductor
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	41A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	PDFN56
	Series	TSM025
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	15mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	18nC
	Maximum Power Dissipation Pd	56W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS, IEC, WEEE
	Width	5.2mm
	Length	6.2mm
	Height	1.1mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Taiwan Semiconductor
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 41A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type PDFN56
	Series TSM025
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 15mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC
	Maximum Power Dissipation Pd 56W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS, IEC, WEEE
	Width 5.2mm
	Length 6.2mm
	Height 1.1mm
	Automotive Standard No

Datasheet-TSM150NB04LCR

not founs

The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested

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