Références fabricant

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 13 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR5410TRLPBF

N° de stock RS:: 215-2601
Référence fabricant:: IRFR5410TRLPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 13 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR5410TRLPBF

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 20 unités)*

23,54 €

(TVA exclue)

28,48 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Temporairement en rupture de stock

40 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le paquet*
20 - 20	1,177 €	23,54 €
40 - 80	1,118 €	22,36 €
100 - 180	1,071 €	21,42 €
200 - 480	1,024 €	20,48 €
500 +	0,953 €	19,06 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 215-2601
Référence fabricant:: IRFR5410TRLPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	205mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	66W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	58nC
	Forward Voltage Vf	-1.6V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No
	Distrelec Product Id	304-39-424

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series HEXFET
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 205mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 66W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 58nC
	Forward Voltage Vf -1.6V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No
	Distrelec Product Id 304-39-424

Datasheet - IRFR5410TRLPBF

The Infineon series fifth generation HEXFET from International rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance for Silicon area. This benefits, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET are well known for, providing sufficient level device for, provides designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D-pack is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering technique.

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

Lead-Free

Fully avalanche rated

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 13 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR5410TRLPBF

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Liens connexes