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Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin

N° de stock RS:: 214-9062
Référence fabricant:: IPG20N06S4L11AATMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin

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10 - 40	1,372 €	13,72 €
50 - 90	1,303 €	13,03 €
100 - 240	1,248 €	12,48 €
250 - 490	1,195 €	11,95 €
500 +	1,111 €	11,11 €

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N° de stock RS:: 214-9062
Référence fabricant:: IPG20N06S4L11AATMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	OptiMOS-T2
	Package Type	TDSON
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	11.2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	41nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	65W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±16 V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Transistor Configuration	Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	1mm
	Length	5.15mm
	Standards/Approvals	RoHS, MSL1, AEC Q101
	Width	5.9 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series OptiMOS-T2
	Package Type TDSON
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 11.2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 65W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±16 V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Transistor Configuration Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 1mm
	Length 5.15mm
	Standards/Approvals RoHS, MSL1, AEC Q101
	Width 5.9 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPG20N06S4L11AATMA1

The Infineon range of new OptiMOS -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS -T2 product family extends the existing families of OptiMOS -T and OptiMOS. The Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode, are feasible for automatic optical inspection (AOI). OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements.

The product is AEC Q101 qualified

100% Avalanche tested

It has 175°C operating temperature

Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin

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