Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 50 A, 80 V Enhancement, 7-Pin MG-WDSON

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N° de stock RS:
214-8966
Référence fabricant:
BSB104N08NP3GXUSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

MG-WDSON

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

10.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

42W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

0.7mm

Length

5.05mm

Width

6.35 mm

Automotive Standard

No

The Infineon range of OptiMOS is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle). These consists of range of energy efficient MOSFET transistors, in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces.

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