Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 tube de 75 unités)*

66,675 €

(TVA exclue)

80,70 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 1 650 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
75 +0,889 €66,68 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
214-8951
Référence fabricant:
AUIRFR540Z
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

35A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

28.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

39nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

91W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

2.39mm

Width

6.73 mm

Length

6.22mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon HEXFET Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

Automotive Qualified

Liens connexes