Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 320 A, 40 V, 3-Pin TO-263

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214-4460
Référence fabricant:
IRFS7434TRLPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

320A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.6mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

294W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

324nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This Infineon HEXFET Power MOSFET is optimized for broadest availability from distribution partners. It has softer body-diode compared to previous silicon generation

It is capable of being wave soldered

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