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Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 96 A, 200 V Enhancement, 8-Pin HSOF IPT111N20NFDATMA1

N° de stock RS:: 214-4424
Référence fabricant:: IPT111N20NFDATMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 96 A, 200 V Enhancement, 8-Pin HSOF IPT111N20NFDATMA1

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N° de stock RS:: 214-4424
Référence fabricant:: IPT111N20NFDATMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	96A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	HSOF
	Series	OptiMOS 3
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	11.1mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	375W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	65nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.1mm
	Height	2.4mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 96A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type HSOF
	Series OptiMOS 3
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 11.1mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 375W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.1mm
	Height 2.4mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPT111N20NFDATMA1

This Infineon OptiMOS 3 MOSFET is perfect solution for high power applications where highest efficiency, outstanding EMI behaviour as well as best thermal behaviour and space reduction are required.

It is RoHS compliant

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