Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 300 A, 100 V Enhancement, 8-Pin HSOF

Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*

6 696,00 €

(TVA exclue)

8 102,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 02 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2000 +3,348 €6 696,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
178-7450
Référence fabricant:
IPT020N10N3ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

300A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

HSOF

Series

OptiMOS 3

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

156nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

10.58mm

Height

2.4mm

Automotive Standard

No

Statut RoHS : Exempté

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.