Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 300 A, 60 V Enhancement, 8-Pin HSOF

Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*

4 932,00 €

(TVA exclue)

5 968,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 2 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 30 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2000 +2,466 €4 932,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
178-7451
Référence fabricant:
IPT007N06NATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

300A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

HSOF

Series

OptiMOS 5

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

216nC

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

10.1 mm

Height

2.4mm

Length

10.58mm

Automotive Standard

No

Statut RoHS : Exempté

Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Liens connexes