Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 120 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP023N08N5AKSA1
- N° de stock RS:
- 214-4404
- Référence fabricant:
- IPP023N08N5AKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,412 € | 12,06 € |
| 25 - 45 | 2,242 € | 11,21 € |
| 50 - 120 | 2,098 € | 10,49 € |
| 125 - 245 | 1,954 € | 9,77 € |
| 250 + | 1,81 € | 9,05 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 214-4404
- Référence fabricant:
- IPP023N08N5AKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 133nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.2mm | |
| Height | 4.4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 133nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.2mm | ||
Height 4.4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon OptiMOS 5 MOSFET is ideal for high frequency switching and synchronous rectification. It requires less paralleling.
It has reduced switching and conduction losses
It has low voltage overshoot
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