Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 120 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP023N08N5AKSA1

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214-4404
Référence fabricant:
IPP023N08N5AKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

OptiMOS

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

133nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.4mm

Length

10.2mm

Width

15.93 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This Infineon OptiMOS 5 MOSFET is ideal for high frequency switching and synchronous rectification. It requires less paralleling.

It has reduced switching and conduction losses

It has low voltage overshoot

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