DiodesZetex DMN10H220LDV Type N-Channel MOSFET, 10.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333
- N° de stock RS:
- 213-9148
- Référence fabricant:
- DMN10H220LDV-7
- Fabricant:
- DiodesZetex
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,154 € | 308,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 213-9148
- Référence fabricant:
- DMN10H220LDV-7
- Fabricant:
- DiodesZetex
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | PowerDI3333 | |
| Series | DMN10H220LDV | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 222mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 40W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 0.85mm | |
| Length | 3.4mm | |
| Width | 3.4 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type PowerDI3333 | ||
Series DMN10H220LDV | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 222mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 40W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 0.85mm | ||
Length 3.4mm | ||
Width 3.4 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The DiodesZetex DMN10H220LDV series MOSFET is designed to minimize the on-state resistance, maintain superior switching performance which makes it ideal for high efficiency power management applications.
Low input capacitance
Fast switching speed
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