DiodesZetex DMN10 Type N-Channel MOSFET, 3.7 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*

548,00 €

(TVA exclue)

664,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 4 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2000 +0,274 €548,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
206-0072
Référence fabricant:
DMN10H170SFGQ-7
Fabricant:
DiodesZetex
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

DiodesZetex

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerDI3333

Series

DMN10

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

133mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26.7nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.25mm

Standards/Approvals

No

Height

0.75mm

Width

3.25 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
The DiodesZetex 100V complementary pair enhancement mode MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive application. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP, and is ideal for use in motor control and power management function.

Low RDS(ON) – ensures on state losses are minimized

Small form factor thermally efficient package

Liens connexes