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DiodesZetex DMN10H099SFG N-Channel MOSFET, 5.8 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333 DMN10H099SFG-7

N° de stock RS:: 146-0954
Référence fabricant:: DMN10H099SFG-7
Fabricant:: DiodesZetex

DiodesZetex DMN10H099SFG N-Channel MOSFET, 5.8 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333 DMN10H099SFG-7

Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*

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2000 +	0,258 €	516,00 €

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N° de stock RS:: 146-0954
Référence fabricant:: DMN10H099SFG-7
Fabricant:: DiodesZetex

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	DMN10H099SFG
	Package Type	PowerDI3333
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	99mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	25.2nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Forward Voltage Vf	0.77V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	2.31W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.35mm
	Height	0.8mm
	Standards/Approvals	No
	Width	3.35mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque DiodesZetex
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series DMN10H099SFG
	Package Type PowerDI3333
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 99mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25.2nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Forward Voltage Vf 0.77V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 2.31W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.35mm
	Height 0.8mm
	Standards/Approvals No
	Width 3.35mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Pays d'origine :: CN

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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