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Vishay SiR882BDP Type N-Channel MOSFET, 67.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8

N° de stock RS:: 210-5006
Référence fabricant:: SiR882BDP-T1-RE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiR882BDP Type N-Channel MOSFET, 67.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 998,00 €

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2 418,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,666 €	1 998,00 €

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N° de stock RS:: 210-5006
Référence fabricant:: SiR882BDP-T1-RE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	67.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	SO-8
	Series	SiR882BDP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	6.9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	54nC
	Maximum Power Dissipation Pd	83.3W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.12mm
	Length	6.25mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 67.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type SO-8
	Series SiR882BDP
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 6.9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 54nC
	Maximum Power Dissipation Pd 83.3W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.12mm
	Length 6.25mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SiR882BDP-T1-RE3

The Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8 package type.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

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