Vishay E Type N-Channel MOSFET, 7.5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 tube de 50 unités)*

49,50 €

(TVA exclue)

60,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 900 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
le tube*
50 +0,99 €49,50 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
210-4964
Référence fabricant:
SIHA21N80AE-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

7.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-220

Series

E

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

205mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

48nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

33W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

4.3mm

Width

9.7 mm

Length

28.1mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has Thin-Lead TO-220 FULLPAK package type with 7.5 A drain current.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

Liens connexes