Vishay SiDR170DP Type N-Channel MOSFET, 95 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiDR170DP-T1-RE3

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210-4955
Référence fabricant:
SiDR170DP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

95A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SiDR170DP

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

93nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.51mm

Width

4.9 mm

Standards/Approvals

No

Length

5.9mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8DC package type.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

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